本文中「凌存科技」为创享投资已投项目：
苏州凌存科技有限公司致力于开发第三代电压控制磁性存储芯片；团队拥有多年磁性存储研发经验，涵盖电路设计、半导体制程以及磁性器件等方面。产品着重于高端MCU、穿戴型、移动、大型数据中心等应用。
赖威Cyrus Lai
高级投资经理
香港中文大学计算机科学荣誉学士。曾就职将门创投负责投研及企业创新咨询相关工作。对机器智能、物联网、自然人机交互及企业计算领域具有深刻理解。专注于挖掘计算相关行业的投资机会。
投资案例：耀宇视芯 氦星光联 凌存科技
第三代电压控制磁性存储芯片公司「凌存科技」已于近日获数千万元Pre-A轮融资，本轮由乾融控股旗下乾融园丰基金领投，国芯科技（688262）、创耀科技（688259）和创享投资跟投。
本轮融资将助力凌存科技进一步加速第三代高速、低功耗、高密度磁性存储器MeRAM的产业化落地，换道超车，让国产新型存储芯片在国际上实现领先优势。
凌存科技(Instontech)总部位于苏州工业园区，主要业务为开发第三代电压控制磁性存储器（Voltage-Controlled MRAM）。核心团队有多年研发和产业经验，公司已获得多项电压控制磁性存储器核心专利授权，专利涉及器件设计、电路设计、材料和工艺整合技术等，并且已成功开发出世界首款高速、高密度、低功耗的存储器MeRAM原型机和基于MeRAM的真随机数发生器。 凌存科技与全球各大晶圆代工厂、设计公司以及研究机构一直保持密切合作，以推动电压控制磁性存储器量产为己任，同时希望助力我国半导体行业，尤其是存储器领域的跨越式超越。 凌存科技创始人兼CEO吴迪先生表示，存储器一直是集成电路领域的高地，存储器优劣在很大程度上决定各类运算芯片的性能。凌存科技旨在研发一款高性能新型存储器芯片MeRAM。团队是世界首个MeRAM技术的商业化团队，团队成员在电路设计、半导体工艺和材料上有10余年的研发经验。我们很感谢本轮投资方的认可。 领投方乾融资本在赋能早期企业有非常多有益的经验和资源，能在多方面帮助公司快速成长；国芯科技和创耀科技作为本轮的产业投资方，既说明产业界对本公司方向的认可，同时可以迅速提升公司产品定义和研发速度；创享投资则在部分细分产业领域为凌存科技赋能，帮助公司扩展产品应用场景。团队将进一步打磨产品，为投资人创造价值，为客户提供更优秀的产品。 投 资 人 观 点 国芯科技（688262） 董事长 郑茳： MeRAM作为第三代MRAM技术，在能耗、读写速度、耐久性等指标上表现亮眼，其所具备的优异性能未来或可在独立存储领域大放其彩，令人深感期待。凌存科技的技术在国内拥有独特性、先进性，国芯科技希望企业可以早日实现产品落地，推动国产第三代磁性存储器在更加广泛的应用场景中获得使用。 创耀科技（688259） 董事长 谭耀龙： 凌存团队是国际一流的专注于MRAM的技术研发和产业化的初创公司。团队在MRAM有极为深厚且受专利保护的技术积累和产业研发经验。作为专注于半导体投资的产业投资人，我们希望能够在产业化的应用落地方面进一步赋能凌存科技，帮助凌存科技在MRAM技术上的产业化成功，引领MRAM这一新型存储技术的发展。 创享投资 高级投资经理 赖威：
